IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А [TO-220AB]

Артикул: IRL640PBF
Ном. номер: 406262398
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А [TO-220AB]Фото 3/3 IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А [TO-220AB]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
61 руб. × = 61 руб.
от 50 шт. — 51 руб.
от 60 шт. — 46.85 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRL640PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
• Simple drive requirements

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Техническая документация

IRL640PBF Datasheet
pdf, 929 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL640PBF
Trans MOSFET N-CH 200V 17A IRL640PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов