IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А [HD-1]

Артикул: IRLD024PBF
Ном. номер: 63828
Производитель: Vishay
Фото 1/4 IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А [HD-1]
Фото 2/4 IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А [HD-1]Фото 3/4 IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А [HD-1]Фото 4/4 IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А [HD-1]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
32 руб. × = 32 руб.
от 25 шт. — 29 руб.
от 150 шт. — 24.83 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах


The IRLD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Техническая документация

pdf, 174 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLD024PBF
Datasheet IRLD024PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов