Мой регион: Россия

IRLH5030TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1

PartNumber: IRLH5030TRPBF
Ном. номер: 8000002256
Производитель: Infineon Technologies
IRLH5030TRPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
3990 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 170 руб.
от 100 шт. — 119 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
263 руб. 3-4 недели, 2397 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 227 руб.
310 руб. 2-3 недели, 872 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 228 руб.
от 100 шт. — 184 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
88 А
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
160S
Высота
0.9мм
Размеры
5 x 6 x 0.9мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
9,9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
94 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5185 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.