Мой регион: Россия

IRLHS6276TRPBF, MOSFET Dual HEXFET N-Ch 2

PartNumber: IRLHS6276TRPBF
Ном. номер: 8000002258
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRLHS6276TRPBF, MOSFET Dual HEXFET N-Ch 2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRLHS6276TRPBF, MOSFET Dual HEXFET N-Ch 2
56 руб.
2925 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 125 шт. — 36 руб.
от 500 шт. — 28 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
50 руб. 2-3 недели, 1580 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 47 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
49 руб. 3-4 недели, 2853 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 41.90 руб.
от 25 шт. — 41.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,6 A
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
6,6 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
8.8s
Высота
0.95мм
Размеры
2.1 x 2.1 x 0.95мм
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.1мм
Типичное время задержки включения
4,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
10 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
62 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
310 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Прямое напряжение диода
1.2V

Дополнительная информация

Datasheet IRLHS6276TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.