IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]

Артикул: IRLL2705TRPBF
Ном. номер: 9000287462
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]
Фото 2/4 IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]Фото 3/4 IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]Фото 4/4 IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]
Есть в наличии 2157 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
17 руб. × = 17 руб.
от 50 шт. — 16 руб.
от 500 шт. — 15.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLL2705TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Low static drain-to-source ON-resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Дополнительная информация

Datasheet IRLL2705TRPBF
IRLL2705, HEXFET Power MOSFET