IRLP3034PBF, Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 341Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

420 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 4 шт. — 370 руб.

от 8 шт. — 365 руб.

от 16 шт. — 352 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 840 руб.

Номенклатурный номер: 8871950379

Артикул: IRLP3034PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 341Вт

Корпус	TO-247
RoHS Compliant	Yes
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	327 A
Maximum Drain Source Resistance	2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	341 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	108 nC @ 4.5 V
Width	5.31mm
Brand:	Infineon Technologies
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	400
Id - Continuous Drain Current:	327 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	341 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	108 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2 mOhms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.8 V
Вес, г	8.5