Мой регион: Россия

IRLR2905PBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]

Артикул: IRLR2905PBF
Ном. номер: 262029411
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLR2905PBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]
Фото 2/4 IRLR2905PBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]Фото 3/4 IRLR2905PBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]Фото 4/4 IRLR2905PBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]
39 руб.
1739 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 34 руб.
от 150 шт. — 33 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 39 руб.

The IRLR2905PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET. The international rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

• Logic-Level Gate Drive
• Ultra Low On-Resistance
• Surface Mount (IRLR2905)
• Straight Lead (IRLU2905)
• Advanced Process Technology
• Fast Switching and Fully Avalanche Rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Техническая документация

IRLR2905PBF datasheet
pdf, 171 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLR2905PBF

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.