Добавить к сравнению Сравнить ()
IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]
![Фото 1/3 IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
![Фото 2/3 IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/896/DOC002896663.jpg)
![Фото 3/3 IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/664/DOC003664878.jpg)
|
42 руб.
|
589 шт. со склада г.Москва | |
|
от 15 шт. —
36 руб.
от 150 шт. —
34 руб.
|
||
|
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 42 руб.
|
Есть аналоги
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Технические параметры
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Вес, г
0.4
Техническая документация
Datasheet IRLR2905Z, IRLU2905Z
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
