IRLR2908
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
360 руб.
от 5 шт. —
288 руб.
от 10 шт. —
263.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 80V, 30A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 120W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 23A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.78 |
Техническая документация
Документация
pdf, 344 КБ
Datasheet IRLR2908PBF
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
