IRLR3110ZPBF, DPAK/TO-252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 15 шт. —
250 руб.
от 60 шт. —
216 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:42A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.011ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Корпус | DPAK(TO-252AA) | |
| Brand | Infineon/IR | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 6000 | |
| Fall Time | 48 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 52 S | |
| Height | 2.3 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 63 A | |
| Length | 6.5 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-252-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 140 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 34 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms | |
| Rise Time | 110 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 33 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns | |
| Unit Weight | 0.139332 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | |
| Width | 6.22 mm | |
| Вес, г | 0.64 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 326 КБ
IRLR3110ZPBF, IRLU3110ZPBF Datasheet
pdf, 341 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
