IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]

Артикул: IRLR3110ZPBF
Ном. номер: 9000092132
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]
Фото 2/5 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]Фото 3/5 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]Фото 4/5 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]Фото 5/5 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
60 руб. × = 60 руб.
от 50 шт. — 55 руб.
от 75 шт. — 43.25 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLR3110ZPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This features combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Industrial applications and a wide variety of other applications.

• Fully avalanche rated
• Advanced process technology
• Ultra low on resistance
• Fast switching

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IRLR3110ZPBF
IRLR3110ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET Data Sheet IRLR3110ZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов