Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLR3114ZPBF, Nкан 40В 130А DPak

Артикул: IRLR3114ZPBF
Ном. номер: 9000095565
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRLR3114ZPBF, Nкан 40В 130А DPak
Фото 2/3 IRLR3114ZPBF, Nкан 40В 130А DPakФото 3/3 IRLR3114ZPBF, Nкан 40В 130А DPak
Доступно на заказ 578 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
140 × = 140
от 25 шт. — 95 руб.
от 100 шт. — 58 руб.

Описание

The IRLR3114ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Logic level

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
6.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

IRLR3114ZPBF datasheet
pdf, 337 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLR3114ZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов