IRLR6225
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
220 руб.
от 10 шт. —
195 руб.
от 42 шт. —
175 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8002013168
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 20V, 100A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):0.0032ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:800mV, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 10V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 21A, 4.5V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50ВµA |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 305 КБ
IRLR6225PBF datasheet
pdf, 313 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
