IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]

Артикул: IRLR8256PBF
Ном. номер: 9020004372
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]
Фото 2/5 IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]Фото 3/5 IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]Фото 4/5 IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]Фото 5/5 IRLR8256PBF, Транзистор, N-канал, 25В, 81А [D-PAK]
Есть в наличии 69 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
38 руб. × = 38 руб.
от 15 шт. — 30 руб.
от 150 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.35…2.35

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IRLR8256PBF
MOSFET N-ch HEXFET 25V 81A DPAK IRLR8256PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов