IRLR8259
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
550 руб.
от 2 шт. —
440 руб.
от 5 шт. —
367 руб.
от 10 шт. —
338.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Номенклатурный номер: 8002029848
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 25V, 57A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; P
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 57A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 13V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 21A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25ВµA |
| Вес, г | 0.73 |
Техническая документация
IRLR8259PBF Datasheet
pdf, 368 КБ
Документация
pdf, 371 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
