IRLS3034TRL7PP, , Транзистор полевой MOSFET N-канальный , 40В, 240A, корпус TO-263-7

Фото 1/4 IRLS3034TRL7PP, , Транзистор полевой MOSFET N-канальный , 40В, 240A, корпус TO-263-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт.280 руб.
от 20 шт.262 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 450 руб.
Номенклатурный номер: 8023203918
Артикул: IRLS3034TRL7PP, , Транзистор полевой MOSFET N-кана

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
МОП-транзистор MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC

Технические параметры

Корпус TO-263-7
Время задержки включения/выключения-590/200 нс
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Емкость, пФ 10990
Заряд затвора, нКл 180
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В 40
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 380
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1
Мощность рассеиваемая(Pd)-380 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-2.5 В
Описание MOSFET MOSFT 40V 380A 1.4mOhm 120nC
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Упаковка REEL, 800 шт.
Id - непрерывный ток утечки 380 A
Pd - рассеивание мощности 380 W
Qg - заряд затвора 120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 590 ns
Время спада 200 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 94 ns
Типичное время задержки при включении 71 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок TO-263-7
Ширина 6.22 mm
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quint Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 380
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1.4 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 40
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 380000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 7
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 200
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 120 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 10990 40V
Typical Rise Time (ns) 590
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 94
Typical Turn-On Delay Time (ns) 71
Вес, г 0.227

Техническая документация

Datasheet IRLS3034TRL7PP
pdf, 326 КБ
Datasheet IRLS3034TRL7PP
pdf, 339 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов