Мой регион: Россия

IRLS3813TRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 30V 247A D2PAK

Ном. номер: 8000002266
PartNumber: IRLS3813TRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRLS3813TRLPBF, MOSFET HEXFET N-CH 30V 247A D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
1145 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
270 руб. 2-3 недели, 563 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 198 руб.
от 100 шт. — 158 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
247 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
195 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
428S
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
32 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35
Максимальное сопротивление сток-исток
1,95 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
55 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
8020 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.