Мой регион: Россия

IRLS4030TRLPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1

PartNumber: IRLS4030TRLPBF
Ном. номер: 8000002267
Производитель: Infineon Technologies
IRLS4030TRLPBF, MOSFET HEXFET N-Ch 100V 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 руб.
178 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 290 руб.
от 40 шт. — 233 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
380 руб. 2-3 недели, 275 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 285 руб.
от 100 шт. — 247 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
370 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
320s
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичное время задержки включения
74 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
110 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
11360 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.