IRLR120PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
Добавить в корзину 210 шт.
на сумму 33 600 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270 5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12(Max)5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 490 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 64 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.8 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRLR120PBF
pdf, 1068 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
