IRLU3410PBF, MOSFET N-Ch 100V 17A HEXFET IPAK

Фото 2/3 IRLU3410PBF, MOSFET N-Ch 100V 17A HEXFET IPAKФото 3/3 IRLU3410PBF, MOSFET N-Ch 100V 17A HEXFET IPAK
Фото 1/3 IRLU3410PBF, MOSFET N-Ch 100V 17A HEXFET IPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
76 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 30 шт.41 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 760 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003991128
Артикул: IRLU3410PBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors

The IRLU3410PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The straight lead version is for through-hole mounting applications.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Dynamic dV/dt rating

Технические параметры

Brand Infineon
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 17 А
Package Type TO-251AA
Maximum Power Dissipation 79 W
Серия IRLR/U3410PbF
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 2.39мм
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Высота 7.49mm
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Drain Source Resistance 155 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Pin Count 3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 5 V
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage 16 В
Forward Diode Voltage 1.3V
Id - непрерывный ток утечки 15 A
Pd - рассеивание мощности 52 W
Qg - заряд затвора 22.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 155 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 6.22 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № SP001574164
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-251-3
Ширина 2.38 mm
Base Product Number IRLU3410 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Simulation Models http://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr3
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet IRLU3410PBF
Datasheet IRLU3410PBF
Datasheet IRLU3410PBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах