Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLU8743PBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRLU8743PBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 14 шт. — 170 руб.

от 27 шт. — 158 руб.

от 53 шт. — 151 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 630 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8256587572

Артикул: IRLU8743PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135Вт

Технические параметры

Корпус	TO-251
Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	160 A
Тип корпуса	IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности	135 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	2.39мм
Высота	6.22мм
Размеры	6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	6.73мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	19 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	21 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.35V
Максимальное сопротивление сток-исток	3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	39 nC @ 4.5 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	4880 пФ при 15 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки	160 A
Pd - рассеивание мощности	135 W
Qg - заряд затвора	59 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Base Product Number	IRLU8743 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 4.5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4880pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)	135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 25A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	HEXFETВ® ->
Supplier Device Package	IPAK (TO-251)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100ВµA
FET Feature	-
Manufacturer	Infineon Technologies
Packaging	Tube
Part Status	Active
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	160 A
Maximum Drain Source Resistance	3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	135 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	IPAK(TO-251)
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	39 nC @ 4.5 V
Width	2.39mm
Вес, г	0.658