Мой регион: Россия

IRLU9343PBF

Ном. номер: 8135549649
PartNumber: IRLU9343PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRLU9343PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRLU9343PBF
150 руб.
3307 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 115 руб.
от 100 шт. — 83 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 8 дней, 955 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
79 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.39мм
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9.5 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
21 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
105 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
31 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 50 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.