Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]

Ном. номер: 308908352
Артикул: IRLZ34NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]
Фото 2/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]Фото 3/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]Фото 4/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]Фото 5/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]Фото 6/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]Фото 7/7 IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]
37 руб.
1317 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 33 руб.
от 150 шт. — 31 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
30 руб. 3-4 недели, 41632 шт. 1 шт. 256 шт.
от 3264 шт. — 25.70 руб.
31 руб. 398 шт. 1 шт. 142 шт.
от 150 шт. — 28 руб.
от 300 шт. — 26.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The IRLZ34NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Advanced process technology

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRLZ34N datasheet
pdf, 104 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLZ34NPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.