Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Infineon › IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side ...

IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 4/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 5/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 6/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 7/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 8/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 1/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Ном. номер: 9000024117

Артикул: IRS2110PBF

Производитель: Infineon Technologies

190 руб.	126 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 171 руб. от 50 шт. — 170 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.

Технические параметры

Конфигурация	half-bridge
Тип канала	независимый
Кол-во каналов	2
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	6
Логическое напряжение (VIH), В	9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	2.5
Тип входа	инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В	500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	17
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	dip-14 (0.300 inch)
Вес, г	1.9