IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]

Фото 2/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 3/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 4/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 5/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 6/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 7/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]Фото 8/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]
Фото 1/8 IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]
Ном. номер: 9000024117
Артикул: IRS2110PBF
Производитель: Infineon Technologies
190 руб.
126 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 171 руб.
от 50 шт. — 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.

Технические параметры

Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 2.5
Тип входа инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 17
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вес, г 1.9

Техническая документация

Datasheet IRS2110/IRS2113
pdf, 598 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRS2110PBF
Datasheet IRS2110PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах