IS29GL256-70DLET, Флеш память, Последовательная NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит / 16М x 16бит, CFI, Параллельный, BGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 120 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
1 070 руб.
от 25 шт. —
1 050 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 360 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Флэш-память - ИС ИС памяти 256 Мб (32M x 8) Параллельный 70 нс 64-LFBGA (9x9)
Технические параметры
| Время Доступа | 70нс |
| Количество Выводов | 64вывод(-ов) |
| Конфигурация Флэш-памяти | 32М x 8бит/16М x 16бит |
| Линейка Продукции | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 3В |
| Размер Памяти | 256Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | BGA |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Тип Интерфейса ИС | CFI, Параллельный |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Access Time | 70ns |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
| Memory Format | FLASH |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 256Mb (32M x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 105В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 64-LBGA |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 64-LFBGA (9x9) |
| Technology | FLASH - NOR |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 200Вµs |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
