IS61WV102416DBLL-10BLI, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.4В до 3.6В, BGA, 48 вывод(-ов), 10 нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 560 руб.
от 10 шт. —
3 310 руб.
от 25 шт. —
3 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 560 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
SRAM - микросхема асинхронной памяти 16 Мб (1M x 16), параллельная 10 нс, 48-TFBGA (6x8)
Технические параметры
| Время Доступа | 10нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.4В до 3.6В |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 1М x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Размер Памяти | 16Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | BGA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Access Time | 10ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 16Mb (1M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 48-TFBGA |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
