ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]
![Фото 1/7 ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 15 шт. —
320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Ignition | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 430 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 4800 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
| Корпус | d2pak | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
