ITS4200S-ME-P, Smart High Side NMOS Powe

PartNumber: ITS4200S-ME-P
Ном. номер: 8146565729
Производитель: Infineon Technologies
ITS4200S-ME-P, Smart High Side NMOS Powe
Доступно на заказ 2580 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
140 руб. × = 1 400 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 84 руб.

Описание

Smart High-Side Power Switch, Infineon
A range of single and multi-channel protected Smart High-side NMOS-power switches from Infineon

Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Высота
1.6mm
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Число контактов
3+Tab
Ток
1.4 (Minimum)A
Ширина
3.5mm
Напряжение
11 → 45
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Количество выходов
1
Тип силового переключателя
Нижняя сторона
Сопротивление переключателя во включенном состоянии
320
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6
Длина
6.5mm
Тип корпуса
SOT-223
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

ITS4200S-ME-P Smart High-Side NMOS-Power Switch