Мой регион: Россия

IXA27IF1200HJ, IGBT N-Ch 1200V 43A XPT I

PartNumber: IXA27IF1200HJ
Ном. номер: 8000004879
Производитель: Ixys Corporation
IXA27IF1200HJ, IGBT N-Ch 1200V 43A XPT I
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
910 руб.
60 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 750 руб.
от 10 шт. — 678 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 910 руб.
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
IXYS
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
43 А
Тип корпуса
ISOPLUS247
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
5.21мм
Высота
21.34мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.