IXBP5N160G, Транзистор, IGBT, 1600В, 5.7А [TO-220AB 3L]

IXBP5N160G, Транзистор, IGBT, 1600В, 5.7А [TO-220AB 3L]
70 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
570 руб.
от 2 шт.460 руб.
от 3 шт.432 руб.
от 9 шт.390.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 9000525534
Артикул: IXBP5N160G
Производитель: Ixys Corporation

Технические параметры

Технология/семейство bimosfet
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 5.7
Импульсный ток коллектора (Icm), А 6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 7.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 68
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-220AB

Техническая документация

IXBP5N160G- IXBH5N160G
pdf, 29 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах