IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]

Фото 2/2 IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]
Фото 1/2 IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]
4 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
4 750 руб.
от 2 шт.4 580 руб.
от 4 шт.4 420 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 750 руб.
Номенклатурный номер: 9000377513
Артикул: IXDN75N120
Производитель: Ixys Corporation

Описание

IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 190
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 660
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-220AB
Вес, г 34.72

Техническая документация

IXDN75N120
pdf, 73 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IXDN75N120
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах