IXFB210N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 210 А, 300 В, 0.0145 Ом, 10 В, 5 В

PartNumber: IXFB210N30P3
Ном. номер: 8024579138
Производитель: Ixys
Фото 1/3 IXFB210N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 210 А, 300 В, 0.0145 Ом, 10 В, 5 В
Фото 2/3 IXFB210N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 210 А, 300 В, 0.0145 Ом, 10 В, 5 ВФото 3/3 IXFB210N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 210 А, 300 В, 0.0145 Ом, 10 В, 5 В
Доступно на заказ 19 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
1 840 руб. × = 1 840 руб.

Описание

The IXFB210N30P3 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features dynamic dv/dt rating, fast intrinsic rectifier and low drain-to-tab capacitance.

• Fast intrinsic rectifier
• Dynamic dv/dt rating
• Low drain to tab capacitance
• Easy to mount
• Space savings

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-264
Рассеиваемая Мощность
1.89кВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
300В
Непрерывный Ток Стока
210А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0145Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IXFB210N30P3
IXFB210N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier IXFB210N30P3