IXFH120N15P, MOSFET N-Channel 150V 120

PartNumber: IXFH120N15P
Ном. номер: 8062366147
Производитель: Ixys
IXFH120N15P, MOSFET N-Channel 150V 120
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
860 руб. × = 860 руб.
от 5 шт. — 560 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS up to 300V
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, with voltage ratings of 100 to 300V

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
16.26 x 5.3 x 21.46mm
высота
21.46mm
длина
16.26mm
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Resistance
0.016 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
600 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247AD
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC V @ 10
Typical Input Capacitance @ Vds
4900 pF V @ 25
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
33 ns
ширина
5.3mm

Дополнительная информация

IXFH 120N15P PolarHT HiPerFET Power MOSFETs Data Sheet IXFH120N15P