IXFH16N50P, MOSFET N-Channel 500V 16A

PartNumber: IXFH16N50P
Ном. номер: 8096918581
Производитель: Ixys
IXFH16N50P, MOSFET N-Channel 500V 16A
Доступно на заказ более 9 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
550 руб. × = 550 руб.
от 5 шт. — 330 руб.
от 20 шт. — 251.50 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS 500V to 600V
A range of IXYS N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), with voltage ratings of 500 to 600V

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
16.26 x 5.3 x 21.46mm
высота
21.46mm
длина
16.26mm
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Resistance
0.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC V @ 10
Typical Input Capacitance @ Vds
2480 pF V @ 25
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
ширина
5.3mm

Дополнительная информация

IXFH 16N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET Data Sheet IXFH16N50P