IXFH30N50P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 140 руб.
от 10 шт. —
2 030 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 600 руб.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 30A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate charge | 70nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 200mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 460W |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Technology | HiPerFET™, PolarHV™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 319 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
