IXFH36N50P, MOSFET N-Channel 500V 36A

PartNumber: IXFH36N50P
Ном. номер: 8051110344
Производитель: Ixys
IXFH36N50P, MOSFET N-Channel 500V 36A
Доступно на заказ 4 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
840 руб. × = 840 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS 500V to 600V
A range of IXYS N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), with voltage ratings of 500 to 600V

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Maximum Drain Source Resistance
0.17 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
540 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-247AD
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
93 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
5500 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
75 ns
Typical Turn-On Delay Time
25 ns
Width
5.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
высота
21.46mm
длина
16.26mm
тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFH 36N50P PolarHV HiPerFET Power MOSFET Data Sheet IXFH36N50P