IXFH42N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 42 А, 600 В, 0.185 Ом, 10 В, 4.5 В

Фото 1/2 IXFH42N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 42 А, 600 В, 0.185 Ом, 10 В, 4.5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 040 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 940 руб.
от 10 шт.1 800 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 4 080 руб.
Номенклатурный номер: 8970112041
Артикул: IXFH42N60P3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 42А, 830Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 830 W
Qg - заряд затвора 78 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 185 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 23 ns
Время спада 17 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 42 S, 25 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH42N60
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 12.81

Техническая документация

Datasheet IXFH42N60P3
pdf, 632 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов