Мой регион: Россия

IXFH44N50Q3, MOSFET N-Ch 500V 44A Q3 H

PartNumber: IXFH44N50Q3
Ном. номер: 8000004707
Производитель: Ixys Corporation
IXFH44N50Q3, MOSFET N-Ch 500V 44A Q3 H
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 370 руб.
30 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 1 080 руб.
от 20 шт. — 1 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 370 руб.
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
44 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
830 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
16.26мм
Размеры
16.26 x 5.3 x 16.26мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.26мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
IXYS
Типичное время задержки выключения
37 нс
Серия
HiperFET, Q3-Class
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
140 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
93 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4800 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.