IXFH80N65X2-4, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 80А, 890Вт, TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 390 руб.
от 3 шт. —
3 370 руб.
от 10 шт. —
2 760 руб.
от 30 шт. —
2 514.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 390 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 80А, 890Вт, TO247-4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Drain current | 80A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 0.14µC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 38mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 890W |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Technology | HiPerFET™, X2-Class |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
IXFH80N65X2-4
pdf, 188 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
