IXFK120N30P3, MOSFET N 300V 120A Polar3

PartNumber: IXFK120N30P3
Ном. номер: 8145240493
Производитель: Ixys
IXFK120N30P3, MOSFET N 300V 120A Polar3
Доступно на заказ более 3 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
1 270 руб. × = 1 270 руб.
от 5 шт. — 1 050 руб.
от 10 шт. — 935 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
19.96 x 5.13 x 26.16мм
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.027 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
300 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1130 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-264
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
150 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
8630 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки включения
26 ns
Ширина
5.13mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
26.16mm
Длина
19.96mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFK120N30P3, IXFX120N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode