Мой регион: Россия

IXFK64N50Q3, MOSFET N-CH 500V 64A Q3 HIPERFET TO264

Ном. номер: 8000004709
PartNumber: IXFK64N50Q3
Производитель: Ixys Corporation
IXFK64N50Q3, MOSFET N-CH 500V 64A Q3 HIPERFET TO264
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 430 руб.
96 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 2 070 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 430 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
64 A
Тип корпуса
TO-264
Максимальное рассеяние мощности
1 kW
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.13мм
Высота
26.16мм
Размеры
19.96 x 5.13 x 26.16мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
19.96мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
36 ns
Производитель
IXYS
Типичное время задержки выключения
46 ns
Серия
HiperFET, Q3-Class
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
85 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
145 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6950 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.