IXFN420N10T, Модуль, одиночный транзистор, Uds 100В, Id 420А, SOT227B, 1,07кВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 570 руб.
от 30 шт. —
4 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 570 руб.
Описание
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 420 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.07 kW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Screw Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-227 |
Pin Count | 4 |
Series | GigaMOS Trench HiperFET |
Typical Gate Charge @ Vgs | 670 nC @ 10 V |
Width | 25.07mm |
Вес, г | 40 |
Техническая документация
IXFN420N10T
pdf, 170 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов