IXFN80N50P, Discrete Semiconductor Modules 500V 80A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 920 руб.
от 10 шт. —
7 990 руб.
от 20 шт. —
6 940 руб.
от 50 шт. —
6 718.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 920 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Источник питания переменного/постоянного токаИсточник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 700 W |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Rise Time: | 27 ns |
| Series: | HiPerFET |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | HiperFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Source |
| Factory Pack Quantity | 10 |
| Fall Time | 18 ns |
| Forward Transconductance - Min | 70 S |
| Height | 9.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 66 A |
| Length | 38.2 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Screw Mount |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-227-4 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 700 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 27 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXFN80N50 |
| Technology | Si |
| Tradename | HyperFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 25.07 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
