Мой регион: Россия

IXFR32N100Q3, MOSFET 1000V 23A Q3 HiPer

PartNumber: IXFR32N100Q3
Ном. номер: 8000004710
Производитель: Ixys Corporation
IXFR32N100Q3, MOSFET 1000V 23A Q3 HiPer
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 480 руб.
23 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 480 руб.
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
23 А
Тип корпуса
ISOPLUS247
Максимальное рассеяние мощности
570 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.34мм
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
IXYS
Типичное время задержки выключения
54 нс
Серия
HiperFET, Q3-Class
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
195 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
10,9 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.