IXFR44N80P, MOSFET N-Channel 800V 25A

PartNumber: IXFR44N80P
Ном. номер: 8042513932
Производитель: Ixys
IXFR44N80P, MOSFET N-Channel 800V 25A
Доступно на заказ более 3 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
1 570 руб. × = 1 570 руб.
от 5 шт. — 1 330 руб.
от 20 шт. — 1 048 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS 800V and over
High volatge N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) and voltage rating of 800V and over.

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
16.13 x 5.21 x 21.34mm
высота
21.34mm
длина
16.13mm
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Resistance
0.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
ISOPLUS247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
12000 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
75 ns
Typical Turn-On Delay Time
28 ns
ширина
5.21mm

Дополнительная информация

IXFR 44N80P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET Data Sheet IXFR44N80P