Мой регион:
Режим цен:

IXFX150N30P3, MOSFET 300V 150A Polar3 H

PartNumber: IXFX150N30P3
Ном. номер: 8020220419
Производитель: Ixys
IXFX150N30P3, MOSFET 300V 150A Polar3 H
Доступно на заказ более 3 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
1 410 × = 1 410
от 5 шт. — 1 180 руб.
от 10 шт. — 1 010 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Максимальный непрерывный ток стока
150 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.019 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
300 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1300 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PLUS247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
197 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
12100 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
74 ns
Типичное время задержки включения
44 ns
Ширина
5.21mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
21.34mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFK150N30P3, IXFX150N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode IXFX150N30P3