IXGH30N60C3C1, Карбидокремниевый одиночный БТИЗ транзистор, 60А, 3В, 220Вт, 600В, TO-247, 3 вывода

PartNumber: IXGH30N60C3C1
Ном. номер: 8093705144
Производитель: Ixys
IXGH30N60C3C1, Карбидокремниевый одиночный БТИЗ транзистор, 60А, 3В, 220Вт, 600В, TO-247, 3 вывода
Доступно на заказ 14 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
2 260 руб. × = 2 260 руб.

Описание

The IXGH30N60C3C1 is a GenX3™ high-speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 40 to 100kHz switching applications.

• Square RBSOA
• Anti-parallel Schottky diode
• High power density
• Low gate drive requirement

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
220Вт
DC Ток Коллектора
60А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

Дополнительная информация

Datasheet IXGH30N60C3C1
Datasheet IXGH30N60C3C1