Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › Диодно-тиристорные › Ixys › IXGH32N170, Транзистор БТИЗ, 1700В 75A 350Вт ...

IXGH32N170, Транзистор БТИЗ, 1700В 75A 350Вт TO247AD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 240 руб.

от 10 шт. — 3 990 руб.

от 30 шт. — 3 590 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 240 руб.

Номенклатурный номер: 8017536500

Артикул: IXGH32N170

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Решения для медицинского оборудования

Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.

Технические параметры

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247AD
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Brand:	IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	3.3 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	75 A
Continuous Collector Current Ic Max:	75 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Manufacturer:	IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247AD-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	350 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	IXGH32N170
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	6.14