Мой регион: Россия

IXKR25N80C, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 800 В, 0.15 Ом, 10 В, 4 В

Ном. номер: 8144336292
PartNumber: IXKR25N80C
Производитель: Ixys Corporation
IXKR25N80C, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 800 В, 0.15 Ом, 10 В, 4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 530 руб.
14 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 1 470 руб.
от 10 шт. — 1 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 530 руб.

The IXKR25N80C is a CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS) and low ON-resistance.

• ISOPLUS247™ package with DCB base
• Electrical isolation towards the heat sink
• Low coupling capacitance to the heat sink for reduced EMI
• High power dissipation
• High temperature cycling capability of chip on DCB
• JEDEC TO-247AD compatible
• Easy clip assembly
• Fast CoolMOS™ power MOSFET 3rd generation
• High blocking capability
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density
• Low RDS (ON)
• High VDSS

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
5

Дополнительная информация

Datasheet IXKR25N80C

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.