IXTP50N20PM

IXTP50N20PM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
3 910 руб.
от 2 шт.3 720 руб.
от 4 шт.3 580 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 910 руб.
Номенклатурный номер: 8002979014
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET транзистор; N-канальный; 200В; 20А; 60мОм; корпус OVERMOLDED TO-220

Технические параметры

RoHS Подробности
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 35 ns
Время спада 30 ns
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура +175 C
Минимальная рабочая температура -55 C
Напряжение пробоя затвор-исток +/-20 V
Напряжение пробоя сток-исток 200 V
Непрерывный ток стока 20 A
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 50
Рассеяние мощности 90 W
Сопротивление сток-исток 66 mOhms
Типичное время задержки выключения 70 ns
Упаковка TUBE
Упаковка / блок TO-220
Вес, г 3

Техническая документация

IXTP50N20PM
pdf, 124 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.