IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
![Фото 1/3 IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 руб.
от 15 шт. —
862 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 руб.
Описание
МОП-транзистор 50Amps 250V
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/25А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 | |
| Крутизна характеристики, S | 58 | |
| Корпус | TO-3P | |
| Вес, г | 5.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Datasheet IXTQ50N25T
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
